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Chinas Weg zu 3-Nanometer-Chips ohne EUV-Lithografie
Forscher des chinesischen Instituts Imecas haben nach eigenen Angaben eine frühe Prozesskette für Gate-All-Around-Transistoren unter 3 Nanometern entwickelt, die auf älterer DUV-Lithografietechnik statt auf verbotener EUV-Technologie basiert. Die erreichten Ion/Ioff-Verhältnisse demonstrieren die grundsätzliche Funktionsfähigkeit, doch wichtige geometrische Parameter wurden nicht veröffentlicht und ein Vergleich mit kommerziellen 3-Nanometer-Prozessen ist daher nicht möglich. Experten betonen, dass noch ein erheblicher Weg bis zur Massenproduktion besteht und nicht alle notwendigen Fertigungsschritte integriert worden sind.
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Zuerst berichtet: Telepolis, 26.09., 16:00.